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Se disponen de PROM que acortan los tiempos de desarrollo y de costos mas bajos. En estas es mucho mas fácil de corregir errores de programa y actualizar los productos debido a que pueden ser reprogramados por el usuario .
Existe una variedad de PROM entre los cuales se pueden mencionar los siguientes :
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- PROM borrables ( E PROM ). Está esta dotada de una ventana de cuarzo especial en la parte superior del encapsulado ; la pastilla es borrada exponiendo el CI a los rayos ultravioletas (UV) dejando las celdas de memoria a 1 lógico, para luego ser reprogramado , es de tipo de EPROM es conocida como PROM borrables UV.
- PROM electrónicamente borrables (EEPROM ó E2PROM). Debido a que este tipo de PROM son borrables eléctricamente , es posible borrarlas y reprogramarlas muestran permanecen en el circuito . también cabe notar que en estas PROM se borra solo un byte a la vez.
- EPROM flash, este tipo de PROM también puede ser borrada estando en el circuito impreso, pero una diferencia es que la EPROM flash se borra por completo y luego se reprograma , y tiene una ventaja y es que debido a la EPROM flash es mas moderna , la unidad de almacenamiento es mas sencilla y por eso puede almacenar una información en una unidad mas pequeña .
Una popular familia de EPROM es la 27XX ; fabricadas por compañías como Intel, Advanced Micro Devices y Fujitsu Micro Electronics, Inc. Algunas de las más importantes de la serie 27XX son :
| MEMORIA |
CAPACIDAD |
| 2716 |
16Kbits (8 x 2KB) |
| 2732 |
32Kbits (8 x 4KB) |
| 2764 |
64Kbits (8 x 8KB) |
| 27128 |
128Kbits (8 x 16KB) |
| 27256 |
256Kbits (8 x 32KB) |
Tabla 2: Memorias UV-EPROM de la serie 27XX
Un ejemplo de CI de la serie 27XX de la familia EPROM es la PROM borrables - UV de·32K ( 4K x 8 ) 2732A . La 2732A tiene 12 pastillas de dirección ( Ao - A11 ) que pueden acceder a las 4096 bytes de memoria. Tiene ocho pastillas de salida etiquetadas como Oo - O7 .
Frente a las ROM las RAM tienen una gran desventaja , el ser volátiles. para resolver este problema , se han desarrollado las RAM no volátiles.
Actualmente las RAM no volátiles se implementa de dos formas :
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usando una SRAM CMOS con una batería de seguridad , esto se puede hacer debido a que la tecnología CMOS tienen un bajo consumo de potencia. Normalmente se usa una batería de larga vida como una batería de litio. El sistema es activado por medio de un comparador, que cuando la alimentación normal de SRAM falla, este activa la conexión con la batería que se encuentra en un modo de Stand By.
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Usando una RAM estática no volátil ( NVS RAM ). Este es un producto mas moderno , que tiene las capacidades de lectura / escritura y su diseño no requiere de una batería. ejemplo típico de NVS RAM es la CMOS STK10C68 producida por Simtek, esta organizada como una memoria de 8 KB x 8 para acudir a 8192 . La NV SRAM STK10C68 usa líneas de dirección ( Ao a A12 ) para acudir 8192 palabras de bits, el tiempo de acceso que maneja es de mas 25ns
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