|
CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS
Estos CI’s se caracterizan por su extremadamente bajo consumo de potencia, ya que se fabrican a partir de transistores MOSFET los cuales por su alta impedancia de entrada su consumo de potencia es mínimo.
- Estos CI’s se pueden clasificar en tres subfamilias:
-
| Familia |
Rango de tensión |
Consumo potencia |
Velocidad |
| estándar (4000) |
3 – 15 V |
10 mW |
20 a 300 ns |
| serie 74C00 |
3 – 15 V |
10 mW |
20 a 300 ns |
| serie 74HC00 |
3 – 15 V |
10 mW |
8 a 12 ns |
Tabla 3: Subfamilias CMOS
La serie 74HCT00 se utiliza para realizar interfaces entre TTL y la serie 74HC00.
DESCARGAS ELECTROSTÁTICAS
Los dispositivos CMOS son muy susceptibles al daño por descargas electrostáticas entre un par de pines.
Estos daños pueden prevenirse:
- Almacenando los CI CMOS en espumas conductoras especiales.
- Usando soldadores alimentados por batería o conectando a tierra las puntas de los soldadores alimentados por ac.
- Desconectando la alimentación cuando se vayan a quitar CI CMOS o se cambien conexiones en un circuito.
- Asegurando que las señales de entrada no excedan las tensiones de la fuente de alimentación.
- Desconectando las señales de entrada antes de las de alimentación.
- No dejar entradas en estado flotante, es decir, conectarlos a la fuente o a tierra según se requiera.
|